سامسونگ تولید انبوه تراشه های DRAM با فناوری ۱۸ نانومتری را در سال ۲۰۱۶ آغاز می کند

بر اساس گزارشی که به تازگی Electronic Times منتشر کرده است ، کمپانی سامسونگ تولید انبوه تراشه های DRAM با فناوری ۱۸ نانومتری خود را در سال ۲۰۱۶ آغاز خواهد کرد.طبق این گزارش، سامسونگ یکی از چابک ترین شرکت ها دراجرای فرآیندهای تولیدی جدید است، و اکنون توسعه تراشه های ۱X-نانو DRAM را به پایان رسانده است و به دنبال شروع تولید انبوه آن از فصل اول سال ۲۰۱۶ است. شرکت های اسکی هاینیکس و میکرون نیز در سال آینده به دنبال این موضوع می روند. اما انتظار می رود میکرون پس از ناکامی در استفاده از فرآیند جدید، در آستانه زیان باشد.سامسونگ تولید انبوه تراشه های ۲۰ نانومتری DRAM را در سال ۲۰۱۴ آغازکرده است که برای اولین بار در جهان آن را به ثمر رساند. در نتیجه، این غول الکترونیکی قادر به بهبود سود و همچنین سهم بازار با کاهش هزینه های تولید بود. با توجه به DRAM Exchange که یک شرکت تحقیقات بازار است، قیمت قرارداد تراشه ۴GB DDR3 D-RAM در ماه نوامبر ۱.۷۲ دلار بود که ۴۹.۱ درصد کمتر از هزینه های آن در ژانویه است.

اگر بخواهیم توضیح مختصری در مورد فن آوری ۱۸ نانومتری و کارائی آن بدهیم باید بگوییم که در فناوری ۱۸ نانومتری فاصله‌ی بین اجزای اصلی هر واحد پردازشی ۱۸ نانومتر است. هرچقدر این فاصله کمتر باشد، طراحی آن ظریف تر است و ترانزیستورهای بیشتری روی آن جا می‌شود در نتیجه باعث بهبود عملکرد آن خواهد شد.